💡 1984년, 일본의 엔지니어 후지오 마스오카는 도시바에서 플래시 메모리를 발명하여 데이터 저장 기술에 혁신을 일으켰습니다.
🔌 플래시 메모리는 비휘발성으로 전원 없이 데이터를 저장할 수 있으며, 솔리드 스테이트 드라이브, 스마트폰, 메모리 카드 등에 일반적으로 사용됩니다.
🔢 플래시 메모리의 기본 구성 요소는 플로팅 게이트에 전자를 가두거나 방출하여 데이터를 저장하는 플로팅 게이트 MOSFET입니다.
🔀 SLC, MLC, TLC, QLC 등 플래시 메모리의 종류에 따라 저장 밀도와 내구성이 다르며, QLC는 셀당 최대 5비트를 저장할 수 있습니다.
🧠 NOR 플래시와 NAND 플래시는 플래시 메모리의 두 가지 주요 유형으로, NOR은 빠른 랜덤 액세스를 제공하고 NAND는 고용량 스토리지에 더 비용 효율적입니다.
🔋 플래시 메모리는 프로그램 지우기 주기가 제한되어 있으며, 최신 3D NAND 기술로 저장 밀도와 수명이 향상되었습니다.
📊 플래시 메모리 칩은 페이지, 블록, 평면으로 구성되며, 3D NAND는 메모리 셀을 수직으로 쌓아 용량을 늘립니다.
💾 2조 개 이상의 플로팅 게이트 모스펫을 탑재한 삼성의 1TB 칩과 같은 최신 3D 낸드 기술은 플래시 메모리 용량과 경제성의 한계를 계속 넓혀가고 있습니다.